3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
Myös Kingstonilla uskotaan muistipiirien hinnan ja saatavuuden pahentuvan entisestään ensi vuoden alussa
18.12.2025 21:44
-
Windows 11:een lisätään sen tekoälyominaisuuksia rajoittavia toimintoja
18.12.2025 21:02
-
Applen ensi vuoden suunnitelmat vuodon kohteena
18.12.2025 01:22
-
OnePlus julkaisi 15R-älypuhelimen sekä Pad Go 2 -tabletin ja Watch Lite -älykellon
17.12.2025 17:00
-
Qualcomm julkaisi kaksi edullisen pään Snapdragon-järjestelmäpiiriä
17.12.2025 00:12
Uusimmat viestit
-
Kokemuksia Ubiquitin reitittimistä (ja muista verkkovermeistä).
- Viimeisin: brainsurgery
-
-
-
-