- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 23 566
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Maailman suurin muistivalmistaja Samsung on tiedottanut aloittaneensa uuden sukupolven V-NAND-sirujen massatuotannon. 9. sukupolven V-NAND -sirut lupaavat merkittäviä parannuksia sekä tiheyteen että nopeuteen.
Samsungin uudet 9. sukupolven V-NAND-piirit tarjoavat yhtiön mukaan jopa 50 % parempaa tiheyttä ja 33 % nopeampaa tiedonsiirtoa verrattuna edeltävään sukupolveen. Yhtiön mukaan se on onnistunut sekä kutistamaan solujen kokoa että integroimaan niihin häiriöitä vähentäviä teknologioita ja pidentämään vielä kaiken päälle solujen elinikääkin. Yksi avaimista solujen pienentämiseen on ollut ns. dummy-läpivientikanavien poisto.
Uudet piirit perustuvat TLC-soluihin ja niitä tuotetaan yhden terabitin siruina. Samsung ei paljastanut vielä piirien kaikkia yksityiskohtia, mutta huhujen mukaan ne olisivat 290-kerroksisia, kun 8. sukupolven piireissä oli 236 kerrosta. Mainostetut 33 % lisää nopeutta on saatu kasvattamalla siirtonopeus 3,2 GT/s (GigaTransfers) eli lähes 400 Mt/s nopeuteen per siru. Myös tehonkulutusta on saatu nipistettyä pois 10 %.
Samsung ei kertonut vielä, milloin uusia piirejä käyttäviä SSD-asemia on luvassa markkinoille, mutta lienee turvallista olettaa niiden löytyvän viimeistään yhtiön omista seuraavan sukupolven asemista. Samsung kertoi lisäksi, että se tulee julkaisemaan QLC-version samasta teknologiasta vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.
Lähde: Samsung
Linkki alkuperäiseen juttuun
