SK hynix esitteli jopa 321-kerroksista Flashia käyttävän UFS 4.1 -muistin

[Kaotik]

SK hynixin uudet 321-kerroksiset muistit lupaavat parantaa satunnaisluku- ja -kirjoitusnopeutta 15 ja 40 prosentilla sekä energiatehokkuutta 7 %:lla verrattuna nykyisiin, 238-kerroksisiin UFS 4.1 -muisteihinsa. Uudet muistit tulevat saatavilla ensi vuoden ensimmäisellä neljänneksellä.

Lähde: SK hynix announces 321-layer, UFS 4.1 chips — TLC 4D NAND set to land in PCs and data centers