- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 24 668
Intel on ilmoittanut aloittaneensa Softbankin tytäryhtiö Saimemoryn kanssa yheistyön uusien ZAM- eli Z-Angle Memory -muistien luomiseksi.
Muistit on suunniteltu korvaamaan nykyiset HBM-muistit ja niiden prototyyppien on tarkoitus valmistua ensi vuonna. Markkinoille tähdätään vuonna 2030. Teknologian luvataan tarjoavan 2-3-kertaista kapasiteettia verrattuna HBM-muisteihin samalla, kun tehonkulutus puolittuu ja hinta pysyy vastaavalla tasolla tai jopa edullisempana.
Lähde: Intel and SoftBank Subsidiary Saimemory Partner on Next-Gen Z-Angle Memory
Muistit on suunniteltu korvaamaan nykyiset HBM-muistit ja niiden prototyyppien on tarkoitus valmistua ensi vuonna. Markkinoille tähdätään vuonna 2030. Teknologian luvataan tarjoavan 2-3-kertaista kapasiteettia verrattuna HBM-muisteihin samalla, kun tehonkulutus puolittuu ja hinta pysyy vastaavalla tasolla tai jopa edullisempana.
Lähde: Intel and SoftBank Subsidiary Saimemory Partner on Next-Gen Z-Angle Memory
