Samsung on kehittänyt jopa 96 % vähemmän tehoa vaativan NAND-tekniikan

[Kaotik]

Samsung Advanced Institute of Technology on julkaissut Naturessa paperin ferrosähköisestä transistorista (FeFET), Ferroelectric Field-Effect Transistor) matalavirtaisiin NAND Flash -muisteihin.

Paperin mukaan FeFETit voivat tallentaa dataa jopa 5 bittiä per solu ja tukevat monikerroksisia rakenteita vähintään samalla tasolla kuin nykyisin käytössä olevat teknologiat. Paperin mukaan transistoreilla saavutettaisiin 286-kerroksisessa rakenteessa 94 % ja 1024-kerroksisessa jopa 96 % pienempi tehonkulutus sekä luku- että kirjoitusoperaatioissa, kuin nykyteknologioilla.

Lähde: https://www.tomshardware.com/tech-i...and-design-based-on-ferroelectric-transistors

 

[Griffin]

Olennainen tieto puuttuu:
5 bittiä per solu; Kirjoituskestävyys muutama sata kertaa..
4 Bittiä per solu: Kirjoituskestävyys lähes 1000 kertaa..

Eli melkoista paskaa, vaatii vielä reippaasti kehittelyä..

 

[hsalonen]

4 Bittiä per solu: Kirjoituskestävyys lähes 1000 kertaa..

Also known as QLC.

Tuo on käytössä kaikkialla ja tuo paska kirjoituskestävyys voidaan mitigoida nykyisillä teknologioilla. Toki QLC on edelleen paskaa, mutta sitä porukkaa ostaa koko ajan.

 

[Barbarossa]

Sangsongin tulevissa NVMe markkinointimateriaaleissa tullee siis näkymään jotakin tyyliin "5-layer MLC".